据界面新闻9月5日报道，为提升性能，英伟达在新一代Rubin处理器的开发蓝图中，计划把CoWoS先进封装环节的中间基板材料，由硅换成碳化硅（SiC）。但由于英伟达对性能进步的要求极高，当芯片内产生的热超过极限，就必须采用碳化硅，最晚2027年，碳化硅就会进入先进封装。
此外，台积电正计划将12英寸单晶碳化硅应用于散热载板，取代传统的氧化铝、蓝宝石基板或陶瓷基板。
碳化硅晶体具有很高的导热性能，热导率可达500W/mK，相比之下，硅的热导率仅为约150W/mK。基于碳化硅晶体优异的导热性能，其在散热要求更高的环境中具有一定应用潜力。
东方证券表示，随着英伟达GPU芯片的功率越来越大，将众多芯片集成到硅中介层将导致更高的散热性能要求，而如果采用导热率更好的SiC中介层，其散热片尺寸有望大幅缩小，优化整体封装尺寸。碳化硅材料在高端算力芯片中的应用潜力尚未完全挖掘。未来，碳化硅材料有望应用于算力芯片的先进封装等环节，打开产业成长空间。
此外，碳化硅也有望在散热载板中得到应用。目前主要的陶瓷材料热导率均低于单晶碳化硅，若采用碳化硅作为散热载板，有望进一步提高散热效率。
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