据界面新闻2月9日报道，Counterpoint《2月内存价格追踪报告》显示，2026年第一季度内存价格环比上涨80%-90%，创历史暴涨纪录，通用服务器DRAM价格大幅攀升成为核心推手。同期，第四季度表现平稳的NAND闪存同步上涨80%-90%，叠加部分HBM3e产品价格走高，市场呈现全品类加速上涨态势。其中，服务器级64GB RDIMM合约价从去年第四季度的450美元飙升至900美元以上，二季度有望突破1000美元关口。
点评：招商证券表示，本轮价格暴涨核心逻辑是AI推理驱动存储需求成倍增长，叠加供给端有效产能释放滞后。AI服务器推动存储架构向“HBM+DRAM+NAND”三级演进，数据中心成为最大单一市场，2026年服务器DRAM占比将突破50%，中长期需求CAGR维持20%高位。
广发证券指出，通用服务器DRAM涨价的核心催化是GPU迭代带动存储容量与产能需求激增，B200、B300等新一代GPU对应的DRAM等效产能消耗同比增长20%-171%。而供给端新增产能集中在2027年及以后释放，2026年行业供需结构性错配将持续，AI驱动的紧缺态势难缓解。
存储产业链上游涵盖设备与材料环节，中游包括存储芯片设计、制造与封测，下游聚焦服务器、数据中心等应用领域，各环节均受益于量价齐升趋势。
公司方面，据上市公司互动平台表示，
大为股份：全资子公司大为创芯主要产品有NAND、DRAM存储两大系列；在稳定核心客户基础上，成功导入超越科技、四川九洲、广东朝歌等重量级新客户，实现在通信和消费电子领域的市场突破；另外，公司目前正在推进探矿权转采矿权工作进程。
东芯股份：公司研发的DRAM产品主要包括DDR3(L)以及LPDDR1/2/4X。
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