SK海力士美国工厂计划投产第7和8代HBM,AI算力需求推动行业持续爆发


随着国产材料技术的突破,部分企业已具备进入国际大厂供应链的能力。今日重要性:✨

据集邦咨询Trendforce 4月22日博文称,SK海力士在美国印第安纳州开始动工建设首座半导体先进封装工厂,投资约 38.7亿美元,计划2028年下半年投产,主要生产第七代和第八代HBM(HBM4E和HBM5)。除美国扩张外,SK海力士同步加码韩国本土产能。

HBM(高带宽存储)是专为AI加速器、高性能计算设备设计的高端存储芯片,核心作用是破解算力提升带来的内存带宽瓶颈,也是AI大模型训练、自动驾驶等前沿领域的核心器件。当前全球AI算力需求持续爆发,HBM市场需求也随之快速增长。SK海力士、三星电子和美光为全球HBM封装市场的主导者,SK海力士凭借其领先的量产工艺和稳定性,在HBM3E及HBM4阶段持续保持约50%全球市场份额。

证券时报表示,HBM的性能与可靠性高度依赖于先进封装材料,尤其是在散热、绝缘和结构支撑方面。随着国产材料技术的突破,部分企业已具备进入国际大厂供应链的能力。

公司方面,据证券时报表示,

华海诚科:公司颗粒状环氧塑封料(GMC)用于HBM的封装,其产品已通过长电科技、三星、SK海力士等验证。

赛腾股份:公司是国内唯一实现HBM全制程检测设备量产的企业,直供三星、SK海力士。

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